反滲透純凈水設(shè)備中反滲透膜是很關(guān)鍵的。當(dāng)設(shè)備長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)運(yùn)行時(shí),水中的鈣和鎂血漿將不斷沉淀并粘附在反滲透膜的表面,形成水垢并阻塞膜孔,這將影響反滲透純凈水設(shè)備的效率。損壞反滲透膜。由于反滲透膜相對(duì)昂貴,因此應(yīng)在系統(tǒng)運(yùn)行期間應(yīng)向水中添加反滲透水阻垢劑,以延遲鈣和鎂離子的沉淀和膜表面結(jié)垢。
①在大濃度范圍內(nèi)有效控制無機(jī)污垢。
②請(qǐng)勿與鐵的氧化鋁和硅化合物凝結(jié)形成不溶物。
③可有效控制硅的聚合和沉積,濃水一側(cè)的SiO2濃度可達(dá)到290ppm。
④可用于反滲透CA和TFC膜,納濾膜和超濾膜。
⑤較好的溶解性和穩(wěn)定性。
⑥給水的pH值在5-10范圍內(nèi)有效。
①防沉淀功能:在具有阻垢劑的系統(tǒng)中,易結(jié)垢組分的陰離子,陽離子和陰離子開始沉淀時(shí)的離子產(chǎn)物值比沒有阻垢劑時(shí)的臨界沉淀離子產(chǎn)物值大得多。
②分散功能:當(dāng)有阻垢劑時(shí),沉淀顆粒比沒有阻垢劑的沉淀顆粒更小,因?yàn)槠淞捷^小。
③晶格變形效應(yīng):在含有阻垢劑的體系中析出的晶體呈球形,多面體和雪花狀。通常認(rèn)為,在晶體生長(zhǎng)過程中,阻垢劑被吸附在晶體生長(zhǎng)點(diǎn)上,使得表面的生長(zhǎng)速率急劇下降,并且生長(zhǎng)出具有不同形狀的晶體。
④低限作用:阻垢劑的用量比水中的阻垢劑要低得多,但也能顯示出阻垢作用。